谷文萍 副教授

• 学院： 电子与控制工程学院
• 性别： 女
• 出生年月： 1982-11-23
• 职称： 副教授
• 学位： 博士
• 学历： 博士
• 毕业院校： 西安电子科技大学
• 联系电话： 17791593621
• 电子邮箱： wpgu@chd.edu.cn
• 通讯地址： 长安大学雁塔校区二号教学楼307
• 邮编： 710071
• 传真：
• 办公地址： 长安大学雁塔校区二号教学楼307
• 教育经历：

  2006/09–2010/03，西安电子科技大学，微电子学院，博士，导师：郝跃院士

  2005/09–2006/07，西安电子科技大学，微电子学院，硕士（硕博连读），导师：郝跃院士

  2001/09–2005/07，西安电子科技大学，技术物理学院，学士，导师：马晓华教授

谷文萍，女，1982年11月生，副教授。先后在西安电子科技大学电子科学与技术专业、西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业攻读学士、硕士、博士学位。长期从事电子信息类专业教学和科研工作。教学方面，主持教改项目2项，指导大学生创新创业项目5项，指导互联网+创新创业大赛4项，指导学生参加陕西省大学生集成电路设计应用创新大赛和暑期社会实践等竞赛，并多次获得优秀指导教师称号；科研方面，主持陕西省自然科学基金1项，主持中央高校基金2项，主持横向项目2项，参加国家自然科学基金1项，陕西省自然科学基金3项，西安市科技局项目1项，申请专利3项，并和他人合作获专利多项。公开发表学术论文数十篇，其中11篇SCI收录，4篇EI收录，3篇ISTP收录。

电子信息学科中的电子器件设计及应用

半导体物理

集成电路制造工艺

纳米电子学概论

电子设计自动化

传感器与检测技术

误差理论与数据分析

工程项目管理

[1]GaN基MOS-HEMT器件辐照损伤机理与可靠性研究，中央高校基金,NO. 310832161002，经费3万元，2016/01/−2017/12，主持人。

[2]新型高可靠AlGaN/GaN HEMT器件研究，中央高校基金,NO. CHD2012JC095，经费3万元，2012/01/−2013/12，主持人。

[3]GaN基MOS-HEMT器件辐照损伤机理与可靠性研究，中央高校基金,NO. 310832161002，经费3万元，2016/1-2017/12 ，主持人。

[4]一种黄铜过滤材料的烧结技术开发，横向项目，经费5万元， 2018/10-2020/10 主持人。

[5]超细球形纳米银粉体技术开发，横向项目，经费4.5万元， 2021/05/21—2022/05/21 主持人。

[6]高性能薄膜SOI硅锗异质结晶体管机理研究，国家自然科学基金,NO. 61504011,经费23.6万元，2016.1-2018.12,主要参加人。

[7]新型结构半永久性碳化硅微型同位素电池研究，陕西省自然科学基金,NO. 2015JM6357,经费2万元，2014.1-2015.12,主要参加人。

[8]采用Pm-147的SiC基微型核电池建模与优化设计研究，陕西省自然科学基金，NO. 2018JZ6004,经费10万元，2018/1-2020/12,主要参加人。

[9]基于碳化硅材料的高温半导体温度传感器研究，西安市科技计划项目NO. CXY1441(9),经费6万元，2014.1-2015.12,主要参加人。

[10]GaN/SiC器件辐射效应及加固技术探索研究，国防预研项目NO.51311050112，经费100万，2007.1-2010.12，主要参与人。

[1]Wenping Gu, Study on Neutron Irradiation-Induced Structural Defects of GaN-Based Heterostructures, Crystals, 2018.05（SCI）

[2]谷文萍，张林，杨鑫，全思，徐小波，杨丽媛，刘盼芝，质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，电子学报，2016,44(6)(EI)

[3]谷文萍，张进成，张林，徐小波，刘盼芝，GaN基材料和器件的质子辐照效应，半导体技术，2016（7）(ISTP)

[4]谷文萍，全思，张林，徐小波，刘盼芝，AlGaN/GaN 异质结材料的中子辐照效应，半导体技术，2015（3）(ISTP)

[5]谷文萍，全思，张林，徐小波，刘盼芝，杨丽媛，电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，半导体技术，2015（4）(ISTP)

[6]谷文萍，张林，李清华，邱彦章，郝跃，全思，刘盼芝，中子辐射对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，物理学报（优先出版），2014，63（4）：047202-1 ~047202-6(SCI)

[7]Wenping Gu,Yue Hao,Lin’an Yang, Chao Duan,Huantao Duan, Jincheng Zhang,Xiaohua Ma, The Effect of Neutron Irradiation on the Electrical Properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, physica status solidic，2010, 7（7-8）: 1991-1996(EI)

[8]Wenping Gu,Huantao Duan, Jinyu Ni, Yue Hao*, Jincheng Zhang, Qian Feng, Xiaohua Ma, High-Electric-Field-Stress-Induced Degradation of SiN Passivated AlGaN/GaN HEMTs, Chinese Physics B, 2009, 18(4):1601-1608(SCI)

[9]谷文萍，张进成，王冲，冯倩，马晓华，郝跃，60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响，物理学报，2009，58（2）：1161 ~ 1165(SCI)

[10]谷文萍，郝跃，张进成，王冲，冯倩，马晓华，高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究，物理学报，2009，58（1）：0511~0517(SCI)

[11]Wenping Gu, Chi Chen, Huantao Duan,Yue Hao*, Jincheng Zhang, Chong Wang, Qian Feng, Xiaohua Ma, 60Coγ-rays Irradiation Effect in DC Performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 30(4):044002-1-044002-5(EI)

[12]Gu W P,Hao Y, Zhang J C, Yang L A, Ma X H, Duan C, The Effect of Neutron Irradiation on the Electrical Properties of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, ICNS-8, 2009, Jeju,Korea, 2009.10.18-10.23

[13]Gu W P,Hao Y, Zhang J C, Ma X H, DifferentHigh-Electric-Field-Stress-Induced Degradation of SiN Passivated AlGaN/GaN HEMTs, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices November 2008, Guangzhou,China.

[15]Xin Yang,Wenping Gu, Multi-scale microstructure high-strength titanium alloy lattice structure manufactured via selective laser melting, croyal society of chemistry, 2021, 11, 22734（SCI）

[16]杨鑫，谷文萍，SPS 制备多级孔结构钨骨架压缩性能及致密化行为研究，稀有金属材料与工程，2021，50（8）（SCI）

[17]Xiaobo Xu, Xiaoyan Wang, Wenping Gu, and Si Quan, Current Crowding Effect of Equilateral Polygon Emitter Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2017,64(6)(SCI)

[18]Xiaobo Xu, Wenping Gu, Si Quan, et al, Early effect of box, triangular and trapezoidal Ge profiles for SiGe HBTs, Superlattices and Microstructures, 2017,1-7.(SCI)

[19]Xiaobo Xu, Wenping Gu, Xiaoyan Wang, et al, Study on influences of CdZnS buffer layer on CdTe solar cells, Superlattices and Microstructures, 2017,1-7.(SCI)

[20]杨鑫，谷文萍，等，放电等离子烧结TiAl合金组织衍变机理研究，稀有技术学报，2017.（SCI）

[21]张林，乔泽宇，谷文萍，等，铜钼叠层基板的热学特性仿真研究，微电子学，2016, 46(6):838.(ISTP)

[22]Shengrui Xu, Jinfeng Zhang, Wenping Gu, Yue Hao, Jincheng Zhang, Xiaowei Zhou, Zhiyu Lin, Wei Mao, Structural and optical investigation of nonpolar a-plane GaN grown by metal organic chemical vapour deposition on r-plane sapphire by neutron irradiation, Chinese Physics B, 2012, 21(2):027802-1-027802-5(SCI)

[23]张林，杨霏，肖剑，谷文萍，邱彦章，双极模式SiC JFET功率特性的研究，物理学报，2011，60（10）：107304(SCI)

[24]Huantao Duan, Wenping Gu, Jincheng Zhang, Yue Hao, Chi Chen, Jinyu Ni, Shengrui Xu, CharacterizationofGaNgrownon4H-SiCandsapphirebyRamanspectroscopyandhighresolutionXRD, Journal of Semiconductors, 2009, 30(7):073001-1-073001-5(EI)

[1]2015年指导学生获得中国（小谷围）“互联网+”运输服务创客大赛长安大学选拔赛三等奖；

[2]2016年指导学生荣获长安大学首届“互联网+”创新创业大赛银奖，并获优秀指导教师称号；

[3]2014年考核优秀

[4]2016年长安大学暑期社会实践活动“优秀指导老师”；

[5]2017年指导学生荣获长安大学“互联网+”创新创业大赛校级银奖，并获优秀指导教师称号；

[6]2017年指导学生荣获大学生创新创业计划项目国家级银奖；

[7]2016年度本科教学电科系学生最满意教师.

2010/07 至今，长安大学，电子与控制工程学院，副教授